IRL1104PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL1104PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 257 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1065 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRL1104PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL1104PBF даташит

 ..1. Size:167K  international rectifier
 irl1104pbf.pdf pdf_icon

IRL1104PBF

PD - 95404 IRL1104PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated l Lead-Free ID = 104A S Description Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced

 7.1. Size:95K  international rectifier
 irl1104.pdf pdf_icon

IRL1104PBF

PD -91805 IRL1104 HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 104AU S Description Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to

 7.2. Size:192K  international rectifier
 irl1104s.pdf pdf_icon

IRL1104PBF

PD -91840 PRELIMINARY IRL1104S/L HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 40V Surface Mount (IRL1104S) Low-profile through-hole (IRL1104L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 104A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processin

 7.3. Size:141K  international rectifier
 irl1104l irl1104s.pdf pdf_icon

IRL1104PBF

PD -91840 PRELIMINARY IRL1104S/L HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 40V Surface Mount (IRL1104S) Low-profile through-hole (IRL1104L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 104A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL3502PBF, IRL3502SPBF, IRL1004LPBF, IRL1004PBF, IRL1004SPBF, IRL1104, IRL1104L, IRL1104LPBF, IRF2807, IRL1104S, IRL1104SPBF, IRL1404LPBF, IRL1404PBF, IRL1404SPBF, IRL1404ZPBF, IRL2203NLPBF, IRL2203NPBF