Справочник MOSFET. IRL1404SPBF

 

IRL1404SPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRL1404SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 140 nC
   trⓘ - Время нарастания: 270 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRL1404SPBF

 

 

IRL1404SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  international rectifier
 irl1404lpbf irl1404spbf.pdf

IRL1404SPBF IRL1404SPBF

PD - 95148IRL1404SPbFIRL1404LPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating Temperature VDSS = 40V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.004 Lead-Free GDescriptionID = 160A Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniqu

 ..2. Size:648K  infineon
 irl1404spbf irl1404lpbf.pdf

IRL1404SPBF IRL1404SPBF

PD - 95148IRL1404SPbFIRL1404LPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating Temperature VDSS = 40V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.004 Lead-Free GDescriptionID = 160A Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniqu

 6.1. Size:133K  international rectifier
 irl1404l irl1404s.pdf

IRL1404SPBF IRL1404SPBF

PD - 93854AIRL1404SIRL1404L Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.004 Fully Avalanche RatedGDescriptionSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromID = 160A International Rectifier utilize advanced processingStechniques to achieve e

 6.2. Size:250K  international rectifier
 auirl1404l auirl1404s.pdf

IRL1404SPBF IRL1404SPBF

PD - 96385AAUTOMOTIVE GRADEAUIRL1404SAUIRL1404LFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Logic-Level Gate DriveD Low On-Resistance V(BR)DSS40V Dynamic dV/dT Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) max.4m Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID 160A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualif

 6.3. Size:257K  inchange semiconductor
 irl1404s.pdf

IRL1404SPBF IRL1404SPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRL1404SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top