IRL2203NPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL2203NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 116 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRL2203NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL2203NPBF даташит

 ..1. Size:186K  international rectifier
 irl2203npbf.pdf pdf_icon

IRL2203NPBF

PD - 94953 IRL2203NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D VDSS = 30V l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 7.0m G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = 116A l Lead-Free S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extr

 6.1. Size:290K  international rectifier
 irl2203nlpbf irl2203nspbf.pdf pdf_icon

IRL2203NPBF

PD - 95219A IRL2203NSPbF IRL2203NLPbF l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 30V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 7.0m G l 100% RG Tested l Lead-Free ID = 116A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced

 6.2. Size:221K  international rectifier
 irl2203n.pdf pdf_icon

IRL2203NPBF

PD - 91366 IRL2203N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 30V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 7.0m G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 116A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

 6.3. Size:290K  international rectifier
 irl2203nspbf irl2203nlpbf.pdf pdf_icon

IRL2203NPBF

PD - 95219A IRL2203NSPbF IRL2203NLPbF l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 30V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 7.0m G l 100% RG Tested l Lead-Free ID = 116A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL1104PBF, IRL1104S, IRL1104SPBF, IRL1404LPBF, IRL1404PBF, IRL1404SPBF, IRL1404ZPBF, IRL2203NLPBF, IRFB31N20D, IRL2203NSPBF, IRL2505PBF, IRL2505SPBF, IRL2703PBF, IRL2703SPBF, IRL2910PBF, IRL2910SPBF, IRL3102PBF