IRL3102PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRL3102PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 61 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 1000 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRL3102PBF
IRL3102PBF Datasheet (PDF)
irl3102pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD- 95658IRL3102PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveVDSS = 20Vl Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Fast SwitchingRDS(on) = 0.013l Lead-FreeGDescriptionID = 61AThese HEXFET Power MOSFETs were designedSspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advancedprocessing
irl3102.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD- 9.1694AIRL3102PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveVDSS = 20V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Fast SwitchingRDS(on) = 0.013GDescriptionID = 61AThese HEXFET Power MOSFETs were designedSspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advancedprocessing tech
irl3102spbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD- 95589IRL3102SPbFHEXFET Power MOSFETDVDSS = 20VRDS(on) = 0.013GID = 61A Lead-FreeSwww.irf.com 107/20/04IRL3102SPbF2 www.irf.comIRL3102SPbFwww.irf.com 3IRL3102SPbF4 www.irf.comIRL3102SPbFwww.irf.com 5IRL3102SPbF6 www.irf.comIRL3102SPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Induct
irl3102s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD 9.1691AIRL3102SPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface MountVDSS = 20V Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive Ideal for CPU Core DC-DC ConvertersRDS(on) = 0.013W Fast SwitchingGID = 61ASDescriptionThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters. Advanced processing techniquesc
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![IRL3102PBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRL3102PBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRL3102PBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C