IRL3103SPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL3103SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRL3103SPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL3103SPBF даташит

 ..1. Size:649K  international rectifier
 irl3103lpbf irl3103spbf.pdf pdf_icon

IRL3103SPBF

PD - 95150 IRL3103SPbF IRL3103LPbF Advanced Process Technology Surface Mount (IRL3103S) HEXFET Power MOSFET Low-profile through-hole (IRL3103L) 175 C Operating Temperature D VDSS = 30V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 12m Lead-Free G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 64A Rectifier utilize advanced processing technique

 6.1. Size:125K  international rectifier
 irl3103s irl3103l.pdf pdf_icon

IRL3103SPBF

PD - 94162 IRL3103S IRL3103L Advanced Process Technology Surface Mount (IRL3103S) HEXFET Power MOSFET Low-profile through-hole (IRL3103L) D 175 C Operating Temperature VDSS = 30V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 12m Description G Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to ID = 64A achieve ext

 6.2. Size:251K  inchange semiconductor
 irl3103s.pdf pdf_icon

IRL3103SPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL3103S FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

 6.3. Size:252K  inchange semiconductor
 irl3103s(2).pdf pdf_icon

IRL3103SPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL3103S FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL2703SPBF, IRL2910PBF, IRL2910SPBF, IRL3102PBF, IRL3102SPBF, IRL3103D2PBF, IRL3103LPBF, IRL3103PBF, RU7088R, IRL3202PBF, IRL3302SPBF, IRL3303LPBF, IRL3303PBF, IRL3303SPBF, IRHY57034CM, IRHY57130CM, IRHY57133CMSE