Справочник MOSFET. IRL3202PBF

 

IRL3202PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL3202PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL3202PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  international rectifier
 irl3202pbf.pdf pdf_icon

IRL3202PBF

PD -95659IRL3202PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveDl Ideal for CPU Core DC-DC Converters VDSS = 20Vl Fast Switchingl Lead-FreeRDS(on) = 0.016GDescriptionID = 48AThese HEXFET Power MOSFETs were designedSspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advancedprocessing

 7.1. Size:125K  international rectifier
 irl3202s.pdf pdf_icon

IRL3202PBF

PD 9.1675BIRL3202SPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface MountVDSS = 20V Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive Ideal for CPU Core DC-DC ConvertersRDS(on) = 0.016W Fast SwitchingGDescription ID = 48ASThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advancedpr

 7.2. Size:89K  international rectifier
 irl3202.pdf pdf_icon

IRL3202PBF

PD 9.1695AIRL3202PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveVDSS = 20V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Fast SwitchingRDS(on) = 0.016WGDescriptionID = 48AThese HEXFET Power MOSFETs were designedSspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advancedprocessing techniq

 9.1. Size:126K  international rectifier
 irl3215.pdf pdf_icon

IRL3202PBF

PD- 91792IRL3215HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 150V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.166 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 12A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resistance per

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.