IRL3303PBF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRL3303PBF. Основные параметры


   Наименование производителя: IRL3303PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRL3303PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL3303PBF даташит

 ..1. Size:1331K  international rectifier
 irl3303pbf.pdf pdf_icon

IRL3303PBF

PD - 94887 IRL3303PbF HEXFET Power MOSFET Lead-Free www.irf.com 1 12/11/03 IRL3303PbF 2 www.irf.com IRL3303PbF www.irf.com 3 IRL3303PbF 4 www.irf.com IRL3303PbF www.irf.com 5 IRL3303PbF 6 www.irf.com IRL3303PbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations D.U.T Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage Inductance

 7.1. Size:292K  international rectifier
 irl3303lpbf irl3303spbf.pdf pdf_icon

IRL3303PBF

PD - 95578 IRL3303LPbF IRL3303SPbF l Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Surface Mount (IRL3303S) VDSS = 30V l Low-profile through-hole (IRL3303L) l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.026 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 38A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utili

 7.2. Size:158K  international rectifier
 irl3303s irl3303l.pdf pdf_icon

IRL3303PBF

PD - 9.1323B IRL3303S/L HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 30V Surface Mount (IRL3303S) Low-profile through-hole (IRL3303L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.026 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 38A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques

 7.3. Size:103K  international rectifier
 irl3303.pdf pdf_icon

IRL3303PBF

PD - 9.1322B IRL3303 HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.026 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 38A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRL3102SPBF , IRL3103D2PBF , IRL3103LPBF , IRL3103PBF , IRL3103SPBF , IRL3202PBF , IRL3302SPBF , IRL3303LPBF , 60N06 , IRL3303SPBF , IRHY57034CM , IRHY57130CM , IRHY57133CMSE , IRHY57230CMSE , IRHY57234CMSE , IRHY57Z30CM , IRHY597034CM .

 

 
Back to Top

 


 
.