IRL3303SPBF - аналоги и даташиты транзистора

 

IRL3303SPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRL3303SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRL3303SPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL3303SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  international rectifier
 irl3303lpbf irl3303spbf.pdf pdf_icon

IRL3303SPBF

PD - 95578IRL3303LPbFIRL3303SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRL3303S)VDSS = 30Vl Low-profile through-hole (IRL3303L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.026l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 38Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutili

 6.1. Size:158K  international rectifier
 irl3303s irl3303l.pdf pdf_icon

IRL3303SPBF

PD - 9.1323BIRL3303S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V Surface Mount (IRL3303S) Low-profile through-hole (IRL3303L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.026 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 38ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques

 7.1. Size:103K  international rectifier
 irl3303.pdf pdf_icon

IRL3303SPBF

PD - 9.1322BIRL3303HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.026 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 38ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistan

 7.2. Size:1331K  international rectifier
 irl3303pbf.pdf pdf_icon

IRL3303SPBF

PD - 94887IRL3303PbFHEXFET Power MOSFET Lead-Freewww.irf.com 112/11/03IRL3303PbF2 www.irf.comIRL3303PbFwww.irf.com 3IRL3303PbF4 www.irf.comIRL3303PbFwww.irf.com 5IRL3303PbF6 www.irf.comIRL3303PbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout ConsiderationsD.U.T Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage Inductance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRL3103D2PBF , IRL3103LPBF , IRL3103PBF , IRL3103SPBF , IRL3202PBF , IRL3302SPBF , IRL3303LPBF , IRL3303PBF , IRFP064N , IRHY57034CM , IRHY57130CM , IRHY57133CMSE , IRHY57230CMSE , IRHY57234CMSE , IRHY57Z30CM , IRHY597034CM , IRHY597130CM .

 

 
Back to Top

 


 
.