IRHY7230CM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHY7230CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для IRHY7230CM
IRHY7230CM Datasheet (PDF)
irhy7230cm irhy9130cm irhy9230cm.pdf
The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision INCH-POUND shall be completed by 1 June 2014. MIL-PRF-19500/615G 1 April 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/615F 10 July 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS, P-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7382 AND 2N7383, JANTXV M, D,
irhy7230cm.pdf
PD - 91273CIRHY7230CMJANSR2N7381RADIATION HARDENED200V, N-CHANNELPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/614THRU-HOLE (TO-257AA)RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHY7230CM 100K Rads (Si) 0.40 9.4A JANSR2N7381 IRHY3230CM 300K Rads (Si) 0.40 9.4A JANSF227381 IRHY4230CM 600K Rads (Si) 0.40 9.4A JANSG2N73
irhy7g30cmse.pdf
PD - 93973DRADIATION HARDENED IRHY7G30CMSEPOWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHY7G30CMSE 100K Rads (Si) 15 1.2AInternational Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETTO-257AAtechnology provides high performance power MOSFETsfor space applications. This technology has ove
irhy7130cm.pdf
The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision INCH-POUND shall be completed by 18 June 2014. MIL-PRF-19500/614J 18 April 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/614H 13 May 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7380 AND 2N7381, JANTXV, M, D,
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
