Справочник MOSFET. IRFB7446G

 

IRFB7446G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFB7446G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 99 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB7446G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  international rectifier
 irfb7446g.pdf pdf_icon

IRFB7446G

StrongIRFET IRFB7446GPbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 2.6mBattery powered circuits max 3.3m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 123A Resonant mode power sup

 6.1. Size:543K  international rectifier
 irfb7446pbf.pdf pdf_icon

IRFB7446G

StrongIRFET IRFB7446PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 2.6mBattery powered circuits max 3.3m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 123A Resonant mode power supp

 6.2. Size:543K  international rectifier
 irfb7446.pdf pdf_icon

IRFB7446G

StrongIRFET IRFB7446PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 2.6mBattery powered circuits max 3.3m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 123A Resonant mode power supp

 6.3. Size:245K  inchange semiconductor
 irfb7446.pdf pdf_icon

IRFB7446G

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFB7446IIRFB7446FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE65T900F | SIHG47N60S | STP15NK50Z | 9N95 | SRM10N60TF | SSM3K16FU | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.