IRFR1018EPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR1018EPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR1018EPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR1018EPBF даташит

 ..1. Size:368K  international rectifier
 irfr1018epbf irfu1018epbf.pdf pdf_icon

IRFR1018EPBF

PD - 97129A IRFR1018EPbF IRFU1018EPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS D VDSS 60V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 7.1m l High Speed Power Switching max. 8.4m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 79A c ID (Package Limited) S 56A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dyna

 5.1. Size:619K  infineon
 auirfr1018e.pdf pdf_icon

IRFR1018EPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR1018E Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 7.1m 175 C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching ID (Silicon Limited) 79A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 56A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qu

 5.2. Size:242K  inchange semiconductor
 irfr1018e.pdf pdf_icon

IRFR1018EPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR1018E, IIRFR1018E FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 8.4m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Speed Power Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 60

 7.1. Size:328K  international rectifier
 irfr1010zpbf irfu1010zpbf.pdf pdf_icon

IRFR1018EPBF

PD - 95951A IRFR1010ZPbF IRFU1010ZPbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 7.5m G Lead-Free ID = 42A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB7787, IRFB812PBF, IRFR010PBF, IRFR014PBF, IRFR020PBF, IRFR024NPBF, IRFR024PBF, IRFR1010ZPBF, IRFZ48N, IRFR110PBF, IRFR1205PBF, IRFR120ATM, IRFR120NPBF, IRFR120PBF, IRFR120ZPBF, IRFR12N25DPBF, IRFR130ATM