IRFR120ZPBF - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFR120ZPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFR120ZPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR120ZPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR120ZPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  international rectifier
 irfr120zpbf irfu120zpbf.pdf pdf_icon

IRFR120ZPBF

PD - 95772BIRFR120ZPbFIRFU120ZPbFHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 190m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 8.7ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely low on-r

 6.1. Size:309K  international rectifier
 auirfu120z auirfr120z.pdf pdf_icon

IRFR120ZPBF

PD - 96345AUIRFR120ZAUIRFU120ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS100Vl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.150ml 175C Operating TemperatureGl Fast Switchingmax. 190ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID 8.7A l Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified *DDDescriptionSpecificall

 6.2. Size:309K  international rectifier
 auirfr120ztrl.pdf pdf_icon

IRFR120ZPBF

PD - 96345AUIRFR120ZAUIRFU120ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS100Vl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.150ml 175C Operating TemperatureGl Fast Switchingmax. 190ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID 8.7A l Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified *DDDescriptionSpecificall

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 irfr120z.pdf pdf_icon

IRFR120ZPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR120Z, IIRFR120ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)190mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFR024PBF , IRFR1010ZPBF , IRFR1018EPBF , IRFR110PBF , IRFR1205PBF , IRFR120ATM , IRFR120NPBF , IRFR120PBF , EMB04N03H , IRFR12N25DPBF , IRFR130ATM , IRFR13N15DPBF , IRFR13N20DPBF , IRFP044NPBF , IRFP044PBF , IRFP048NPBF , IRFP048PBF .

History: IRF611 | IRCP140

 

 
Back to Top

 


 
.