IRFP31N50LPBF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRFP31N50LPBF. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFP31N50LPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 553 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO247AC
 

 Аналог (замена) для IRFP31N50LPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP31N50LPBF даташит

 ..1. Size:208K  international rectifier
irfp31n50lpbf.pdfpdf_icon

IRFP31N50LPBF

PD - 95051 SMPS MOSFET IRFP31N50LPbF AppIications HEXFET Power MOSFET Trr typ. VDSS RDS(on) typ. ID 500V 0.15 170ns 31A Features and Benefits

 ..2. Size:192K  vishay
irfp31n50l irfp31n50lpbf sihfp31n50l.pdfpdf_icon

IRFP31N50LPBF

IRFP31N50L, SiHFP31N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Super Fast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 500 External Diodes in ZVS Applications Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.15 RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Qg (Max.) (nC) 210 COMPLIANT Requirements Qgs (nC) 58 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 4.1. Size:95K  international rectifier
irfp31n50l.pdfpdf_icon

IRFP31N50LPBF

PD - 94081 SMPS MOSFET IRFP31N50L Applications HEXFET Power MOSFET Switch Mode Power Supply (SMPS) UninterruptIble Power Supply VDSS RDS(on) typ. ID High Speed Power Switching 500V 0.15 31A ZVS and High Frequency Circuit PWM Inverters Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterize

 4.2. Size:188K  vishay
irfp31n50l sihfp31n50l.pdfpdf_icon

IRFP31N50LPBF

IRFP31N50L, SiHFP31N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Super Fast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 500 External Diodes in ZVS Applications Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.15 RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Qg (Max.) (nC) 210 COMPLIANT Requirements Qgs (nC) 58 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

Другие MOSFET... IRFP26N60LPBF , IRFP27N60K , IRFP27N60KPBF , IRFP2907PBF , IRFP2907ZPBF , IRFP3006 , IRFP3077PBF , IRFP31N50L , 5N65 , IRFP3206PBF , IRFP32N50K , IRFP32N50KPBF , IRFP3306PBF , IRFP340PBF , IXZR18N50B , IXZR18N50A , IXZR16N60B .

 

 
Back to Top

 


 
.