Справочник MOSFET. IXTH06N220P3HV

 

IXTH06N220P3HV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH06N220P3HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 2200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 80 Ohm
   Тип корпуса: TO-247HV
 

 Аналог (замена) для IXTH06N220P3HV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH06N220P3HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  ixys
 ixth06n220p3hv.pdf pdf_icon

IXTH06N220P3HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2200VIXTH06N220P3HVPower MOSFETID25 = 0.60A RDS(on) 80 N-Channel Enhancement ModeTO-247HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25C to 150C 2200 V D (Tab)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2200 VVGSS Continuous 20 VG = Gate D = Drain

 9.1. Size:160K  ixys
 ixth04n300p3hv.pdf pdf_icon

IXTH06N220P3HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTH04N300P3HVPower MOSFETID25 = 0.40A RDS(on) 190 N-Channel Enhancement ModeTO-247HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25C to 150C 3000 V D (Tab)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS Continuous 20 VG = Gate D = Drai

 9.2. Size:194K  ixys
 ixth02n250 ixtv02n250s.pdf pdf_icon

IXTH06N220P3HV

High VoltageIXTH02N250VDSS = 2500VPower MOSFETsID25 = 200mA IXTV02N250S RDS(on) 450 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXTH)GD D (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2500 VPLUS220SMD (IXTV_S)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient

 9.3. Size:160K  ixys
 ixth05n250p3hv.pdf pdf_icon

IXTH06N220P3HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2500VIXTH05N250P3HVPower MOSFETID25 = 0.50A RDS(on) 110 N-Channel Enhancement ModeTO-247HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25C to 150C 2500 V D (Tab)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Continuous 20 VG = Gate D = Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH140P10T , IXTH12N65X2 , IXTH12N50 , IXTH12N45A , IXTH12N45 , IXTH12N150 , IXTH10N60A , IXTH10N60 , K3569 , IXTH05N250P3HV , IXTH04N300P3HV , IXTH02N450HV , IXTF1N450 , IXTF02N450 , IXTA8N65X2 , IXTA80N075L2 , IXTA64N10L2 .

History: APT60M75L2LL | SWT69N65K2F | 2SJ285 | STD30PF03L-1 | AOH3106 | SI8499DB

 

 
Back to Top

 


 
.