Справочник MOSFET. IPU60R1K4C6

 

IPU60R1K4C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPU60R1K4C6
   Маркировка: 6R1K4C6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для IPU60R1K4C6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU60R1K4C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1053K  infineon
 ipu60r1k4c6.pdf pdf_icon

IPU60R1K4C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPU60R1K4C6Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS C6 Power TransistorIPU60R1K4C6IPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneer

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 ipu60r1k4c6.pdf pdf_icon

IPU60R1K4C6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU60R1K4C6FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:2314K  infineon
 ipd60r1k0ce ipu60r1k0ce.pdf pdf_icon

IPU60R1K4C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE600V CoolMOS CE Power TransistorIPx60R1K0CEData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS CE Power TransistorIPD60R1K0CE, IPU60R1K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

 6.2. Size:2307K  infineon
 ipd60r1k5ce ipu60r1k5ce.pdf pdf_icon

IPU60R1K4C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE600V CoolMOS CE Power TransistorIPx60R1K5CEData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS CE Power TransistorIPD60R1K5CE, IPU60R1K5CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.