IPP65R074C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPP65R074C6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP65R074C6
IPP65R074C6 Datasheet (PDF)
ipp65r074c6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power TransistorIPP65R074C6Data SheetRev. 2.1FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPP65R074C6TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpion
ipp65r074c6.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R074C6IIPP65R074C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.074Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSO
ipp65r065c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R065C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R065C7TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
ipp65r045c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R045C7Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R045C7TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
Другие MOSFET... IPP65R190C6 , IPP65R150CFDA , IPP65R150CFD , IPP65R125C7 , IPP65R110CFDA , IPP65R110CFD , IPP65R099C6 , IPP65R095C7 , MMIS60R580P , IPP65R065C7 , IPP65R045C7 , IPP60R600P6 , IPP60R380P6 , IPP60R330P6 , IPP60R280P6 , IPP60R230P6 , IPP60R1K4C6 .
History: FQB34N20L | AP09N70I-A-HF | JMTC3002B
History: FQB34N20L | AP09N70I-A-HF | JMTC3002B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTC80N06A | JMTC6888A | JMTC60N04B | JMTC58N06B | JMTC4004A | JMTC320N10A | JMTC3005A | JMTC3003A | JMTC3002B | JMTC170N10A | JMTC110N06A | JMTC085P04A | JMTC068N07A | JMTC060N06A | JMTC035N06D | JMTC035N04A
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y