IRFP3710 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFP3710
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 190(max) nC
Время нарастания (tr): 59 ns
Выходная емкость (Cd): 640 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
IRFP3710 Datasheet (PDF)
0.1. irfp3710pbf.pdf 
Size:229K _international_rectifier
PD - 95053AIRFP3710PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.025Gl Lead-FreeDescription ID = 57ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per sili
0.2. irfp3710.pdf Size:185K _international_rectifier
PD-91490CIRFP3710HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.025W Fully Avalanche RatedGID = 57ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit
0.3. irfp3710pbf.pdf Size:229K _infineon
PD - 95053AIRFP3710PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.025Gl Lead-FreeDescription ID = 57ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per sili
0.4. irfp3710.pdf Size:242K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3710IIRFP3710FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)25mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingFully Avalanche RatedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
Другие MOSFET... IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , BUZ90 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: IPB17N25S3-100 | IPB160N04S4L-H1 | IPB140N08S4-04 | IPB120P04P4-04 | IPB120N08S4-04 | IPB120N08S4-03 | IPB120N04S4L-02 | IPB120N04S4-04 | IPB120N03S4L-03 | IPB110P06LM | IPB060N15N5 | IPB032N10N5 | IPB024N10N5 | IPB019N08N5 | IPB017N10N5LF | IPAW70R950CE