Справочник MOSFET. IPL65R310E6

 

IPL65R310E6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPL65R310E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: THINPAK8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R310E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1593K  infineon
 ipl65r310e6.pdf pdf_icon

IPL65R310E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS ThinkPAK 8x8650V CoolMOS E6 Power TransistorIPL65R310E6 Data SheetRev. 2.1FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS E6 Power TransistorIPL65R310E6ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle

 7.1. Size:1798K  infineon
 ipl65r340cfd.pdf pdf_icon

IPL65R310E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R340CFD Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R340CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ

 8.1. Size:1801K  infineon
 ipl65r460cfd.pdf pdf_icon

IPL65R310E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

 8.2. Size:1796K  infineon
 ipl65r070c7.pdf pdf_icon

IPL65R310E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF8236 | CHM8207JGP

 

 
Back to Top

 


 
.