IPL65R1K5C6S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPL65R1K5C6S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: THINPAK5X6
Аналог (замена) для IPL65R1K5C6S
IPL65R1K5C6S Datasheet (PDF)
ipl65r1k5c6s.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K5C6SData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K5C6SThinPAK 5x61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an
ipl65r1k0c6s.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K0C6SData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K0C6SThinPAK 5x61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an
ipl65r195c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R195C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R195C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
ipl65r130c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R130C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R130C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
Другие MOSFET... IPL65R660E6 , IPL65R650C6S , IPL65R460CFD , IPL65R420E6 , IPL65R340CFD , IPL65R310E6 , IPL65R230C7 , IPL65R210CFD , 18N50 , IPL65R1K0C6S , IPL65R195C7 , IPL65R190E6 , IPL65R165CFD , IPL65R130C7 , IPL65R099C7 , IPL65R070C7 , IPL60R650P6S .
History: HY1506B | AUIRF1010Z | DMC3032LSD | KHB9D5N20P | WMM26N60C4 | IRF8707PBF-1 | NCE4606C
History: HY1506B | AUIRF1010Z | DMC3032LSD | KHB9D5N20P | WMM26N60C4 | IRF8707PBF-1 | NCE4606C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600