IPL60R2K1C6S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPL60R2K1C6S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: THINPAK5X6

Аналог (замена) для IPL60R2K1C6S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL60R2K1C6S даташит

 ..1. Size:1321K  infineon
 ipl60r2k1c6s.pdf pdf_icon

IPL60R2K1C6S

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPL60R2K1C6S Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPL60R2K1C6S ThinPAK 5x6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

 7.1. Size:1618K  infineon
 ipl60r255p6.pdf pdf_icon

IPL60R2K1C6S

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS P6 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPL60R255P6 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPL60R255P6 ThinPAK 8x8 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.2. Size:1592K  infineon
 ipl60r299cp.pdf pdf_icon

IPL60R2K1C6S

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CP 600V CoolMOS CP Power Transistor IPL60R299CP Data Sheet Rev. 2.0, 2010-10-01 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS CP Power Transistor IPL60R299CP 1 Description The CoolMOS CP series offers devices which provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely

 7.3. Size:1607K  infineon
 ipl60r210p6.pdf pdf_icon

IPL60R2K1C6S

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS P6 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPL60R210P6 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPL60R210P6 ThinPAK 8x8 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPL65R195C7, IPL65R190E6, IPL65R165CFD, IPL65R130C7, IPL65R099C7, IPL65R070C7, IPL60R650P6S, IPL60R360P6S, 18N50, IPL60R255P6, IPL60R210P6, IPL60R1K5C6S, IPL60R180P6, IPI80N06S3-07, IPI65R420CFD, IPI65R310CFD, IPI65R280E6