Справочник MOSFET. IRFP450A

 

IRFP450A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP450A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 64(max) nC

Время нарастания (tr): 36 ns

Выходная емкость (Cd): 307 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для IRFP450A

 

 

IRFP450A Datasheet (PDF)

0.1. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier

IRFP450A
IRFP450A

PD -91884SMPS MOSFETIRFP450AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current

0.2. irfp450apbf.pdf Size:195K _international_rectifier

IRFP450A
IRFP450A

PD -95054SMPS MOSFETIRFP450APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and Avala

 0.3. irfp450a.pdf Size:942K _samsung

IRFP450A
IRFP450A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.308 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val

0.4. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay

IRFP450A
IRFP450A

IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu

 0.5. irfp450a sihfp450a.pdf Size:309K _infineon

IRFP450A
IRFP450A

IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu

Другие MOSFET... IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRF250 , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 , IRFP452 , IRFP453 , IRFP460 , IRFP460A , IRFP460LC .

 

 
Back to Top