Справочник MOSFET. IRFP450A

 

IRFP450A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP450A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 64 nC

Выходная емкость (Cd): 2038 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IRFP450A

 

 

IRFP450A Datasheet (PDF)

1.1. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier

IRFP450A
IRFP450A

PD -91884 SMPS MOSFET IRFP450A HEXFET® Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.40Ω 14A High speed power switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

1.2. irfp450apbf.pdf Size:195K _international_rectifier

IRFP450A
IRFP450A

PD -95054 SMPS MOSFET IRFP450APbF HEXFET® Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40Ω 14A l High speed power switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avala

 1.3. irfp450a.pdf Size:942K _samsung

IRFP450A
IRFP450A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Ω Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.308 Ω (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Val

1.4. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay

IRFP450A
IRFP450A

IRFP450A, SiHFP450A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.40 • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 64 Ruggedness COMPLIANT Qgs (nC) 16 • Fully Characterized Capacitance and Qgd (nC) 26 Avalanche Voltage and Current Configu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top