IPB90R340C3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPB90R340C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IPB90R340C3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPB90R340C3 даташит
ipb90r340c3.pdf
IPB90R340C3 CoolMOS Power Transistor Product Summary Features VDS @ TJ=25 C 900 V Lowest figure-of-merit RON x Qg RDS(on),max @TJ=25 C 0.34 W Extreme dv/dt rated Qg,typ 94 nC High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for industrial applications PG-TO263 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge CoolMOS 900V is desi
ipb90r340c3.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB90R340C3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V
ipi90n04s4-02 ipp90n04s4-02 ipb90n04s4-02.pdf
IPB90N04S4-02 IPI90N04S4-02, IPP90N04S4-02 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R (SMD version) 2.1 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type P
ipi90n06s4-04 ipp90n06s4-04 ipb90n06s4-04.pdf
IPB90N06S4-04 IPI90N06S4-04, IPP90N06S4-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 3.7 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type P
Другие IGBT... IPD053N06N, IPD050N03L, IPD04N03LBG, IPD040N03L, IPD03N03LAG, IPD031N03L, IPD025N06N, IPD024N06N, AON7410, IPB80N06S3L-05, IPB65R660CFDA, IPB65R420CFD, IPB65R310CFDA, IPB65R310CFD, IPB65R225C7, IPB65R190E6, IPB65R190CFDA
History: IPB65R099C6 | IPB407N30N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883





