IPB100N06S3-04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB100N06S3-04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IPB100N06S3-04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB100N06S3-04 даташит

 ..1. Size:195K  infineon
ipb100n06s3-04.pdfpdf_icon

IPB100N06S3-04

IPB100N06S3-04 IPI100N06S3-04, IPP100N06S3-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 55 V DS R (SMD version) 4.1 m DS(on),max I 100 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avala

 4.1. Size:159K  infineon
ipb100n06s2l-05 ipp100n06s2l-05.pdfpdf_icon

IPB100N06S3-04

IPB100N06S2L-05 IPP100N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R (SMD version) 4.4 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 100 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avala

 4.2. Size:155K  infineon
ipb100n06s2-05 ipp100n06s2-05.pdfpdf_icon

IPB100N06S3-04

IPB100N06S2-05 IPP100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 4.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 100 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested T

 6.1. Size:159K  infineon
ipp100n04s4-h2 ipb100n04s4-h2 ipi100n04s4-h2.pdfpdf_icon

IPB100N06S3-04

IPB100N04S4-H2 IPI100N04S4-H2, IPP100N04S4-H2 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R (SMD version) 2.4 m DS(on),max I 100 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ty

Другие IGBT... IPB65R045C7, IPB45N06S3-16, IPB407N30N, IPB14N03LA, IPB12CN10NG, IPB117N20NFD, IPB110N06LG, IPB107N20NA, STF13NM60N, IPB09N03LAG, IPB09N03LA, IPB085N06LG, IPB080N03L, IPB06N03LA, IPB065N10N3G, IPB065N03L, IPB05N03LBG