Справочник MOSFET. IPB065N10N3G

 

IPB065N10N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB065N10N3G
   Маркировка: 065N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 646 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IPB065N10N3G

 

 

IPB065N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1157K  infineon
 ipb065n10n3g.pdf

IPB065N10N3G IPB065N10N3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VIPB065N10N3 GData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VIPB065N10N3 GDPAK1 DescriptionFeatures N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 175

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb065n10n3.pdf

IPB065N10N3G IPB065N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB065N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 6.1. Size:637K  infineon
 ipb065n15n3g.pdf

IPB065N10N3G IPB065N10N3G

IPB065N15N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 150 VDSQ ' 381>>5?B=1

 7.1. Size:614K  infineon
 ipb065n03l.pdf

IPB065N10N3G IPB065N10N3G

pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@

 7.2. Size:738K  infineon
 ipb065n06lg ipp065n06lg.pdf

IPB065N10N3G IPB065N10N3G

IPB065N06L G IPP065N06L G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>R m , ?> =1G P ( 381>>581>35=5>C

 7.3. Size:242K  inchange semiconductor
 ipb065n03l.pdf

IPB065N10N3G IPB065N10N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB065N03LDESCRIPTIONDrain Current :I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSY

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CEB703AL

 

 
Back to Top