Справочник MOSFET. IPB015N08N5

 

IPB015N08N5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB015N08N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IPB015N08N5

 

 

IPB015N08N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2348K  infineon
ipb015n08n5.pdf

IPB015N08N5
IPB015N08N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VIPB015N08N5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VIPB015N08N5D-PAK 7pin1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate ch

 6.1. Size:670K  infineon
ipp015n04n ipb015n04n.pdf

IPB015N08N5
IPB015N08N5

pe ## ! ! # ! ! D #:A0;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@ER "

 6.2. Size:440K  infineon
ipb015n04l.pdf

IPB015N08N5
IPB015N08N5

pe $ " E $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D S 4EF EI

 6.3. Size:670K  infineon
ipp015n04n6 ipb015n04n6.pdf

IPB015N08N5
IPB015N08N5

pe ## ! ! # ! ! D #:A0;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@ER "

 6.4. Size:673K  infineon
ipp015n04ng ipb015n04ng.pdf

IPB015N08N5
IPB015N08N5

pe ## ! ! # ! ! D #:A0;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@ER "

 6.5. Size:443K  infineon
ipb015n04lg ipb015n04l .pdf

IPB015N08N5
IPB015N08N5

pe $ " E $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D S 4EF EI

 6.6. Size:252K  inchange semiconductor
ipb015n04l.pdf

IPB015N08N5
IPB015N08N5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB015N04LFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM

 6.7. Size:257K  inchange semiconductor
ipb015n04n.pdf

IPB015N08N5
IPB015N08N5

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB015N04NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPB051NE8NG

 

 
Back to Top