IPB015N08N5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB015N08N5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IPB015N08N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB015N08N5 даташит

 ..1. Size:2348K  infineon
 ipb015n08n5.pdf pdf_icon

IPB015N08N5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB015N08N5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB015N08N5 D -PAK 7pin 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate ch

 6.1. Size:670K  infineon
 ipp015n04n ipb015n04n.pdf pdf_icon

IPB015N08N5

pe ## ! ! # ! ! D # A0;53E;A@D R ' 5 3@@7> @AC?3> >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E ( & D n) R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 E7DE76 R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@E R "

 6.2. Size:440K  infineon
 ipb015n04l.pdf pdf_icon

IPB015N08N5

pe $ " E $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 4 D S 4EF EI

 6.3. Size:670K  infineon
 ipp015n04n6 ipb015n04n6.pdf pdf_icon

IPB015N08N5

pe ## ! ! # ! ! D # A0;53E;A@D R ' 5 3@@7> @AC?3> >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E ( & D n) R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 E7DE76 R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@E R "

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB029N06N3GE8187, IPB027N10N5, IPB026N06N, IPB024N08N5, IPB020N10N5, IPB020N08N5, IPB017N10N5, IPB017N08N5, IRF740, IPB015N04L, IPB014N06N, IPB011N04L, IPB010N06N, IPB009N03L, IPA80R650CE, IPA80R460CE, IPA80R310CE