Справочник MOSFET. FCB20N60TM

 

FCB20N60TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCB20N60TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 98 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FCB20N60TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB20N60TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:956K  fairchild semi
fcb20n60tm.pdfpdf_icon

FCB20N60TM

December 2008 TMSuperFETFCB20N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.15balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg = 75nC) lower gate charge performance.

 6.1. Size:354K  fairchild semi
fcb20n60f f085.pdfpdf_icon

FCB20N60TM

December 2013FCB20N60F_F085N-Channel MOSFET600V, 20A, 190m DDFeatures Typ rDS(on) = 171m at VGS = 10V, ID = 20A Typ Qg(tot) = 78nC at VGS = 10V, ID = 20AG UIS Capability RoHS CompliantG Qualified to AEC Q101 SSDescription SuperFETTM is Fairchilds proprietary new generation of high voltage MOSFETs utilizing an advanced charge balance Forcurrentpack

 6.2. Size:363K  fairchild semi
fcb20n60 f085.pdfpdf_icon

FCB20N60TM

November 2013FCB20N60_F085N-Channel MOSFET600V, 20A, 198m DDFeatures Typ rDS(on) = 173m at VGS = 10V, ID = 20A Typ Qg(tot) = 72nC at VGS = 10V, ID = 20AG UIS Capability RoHS CompliantG Qualified to AEC Q101 SSDescription SuperFETTM is Fairchilds proprietary new generation of high voltage MOSFETs utilizing an advanced charge balance Forcurrentpacka

 6.3. Size:1144K  fairchild semi
fcb20n60ftm.pdfpdf_icon

FCB20N60TM

December 2008 TMSuperFETFCB20N60F600V N-CHANNEL FRFETFeatures Description 650V @ TJ = 150C SuperFETTM is,Fairchild' s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.15balance mechanism for outstanding low on-resistance and Fast Recovery Type ( trr = 160ns ) lower gate charge performance. This a

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IXTU5N50P | HRF3205

 

 
Back to Top

 


 
.