FDC3512F095 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDC3512F095
Маркировка: ..352
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 58 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.077 Ohm
Тип корпуса: SSOT-6
Аналог (замена) для FDC3512F095
FDC3512F095 Datasheet (PDF)
fdc3512 f095.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
February 2002 FDC3512 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 80 V RDS(ON) = 77 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for
fdc3512.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
February 2002 FDC3512 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 80 V RDS(ON) = 77 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for
fdc3512.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FDC3512 Features 80V N-Channel PowerTrench MOSFET 3.0 A, 80 V RDS(ON) = 77 m @ VGS = 10 V General Description RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6 V This N-Channel MOSFET has been designed High performance trench technology for extremelyspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional low RDS(ON)
fdc3512.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FDC3512www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = 10 V 3.2 Low On-Resistance100 4.2 nC0.105 at VGS = 4.5 V 3.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS D
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![FDC3512F095](https://alltransistors.com/images/us.png)
![FDC3512F095](https://alltransistors.com/images/es.png)
![FDC3512F095](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C