FDC3512F095. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDC3512F095

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: SSOT-6

Аналог (замена) для FDC3512F095

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC3512F095 даташит

 7.1. Size:130K  fairchild semi
 fdc3512 f095.pdf pdf_icon

FDC3512F095

February 2002 FDC3512 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 80 V RDS(ON) = 77 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

 7.2. Size:133K  fairchild semi
 fdc3512.pdf pdf_icon

FDC3512F095

February 2002 FDC3512 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 80 V RDS(ON) = 77 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

 7.3. Size:222K  onsemi
 fdc3512.pdf pdf_icon

FDC3512F095

FDC3512 Features 80V N-Channel PowerTrench MOSFET 3.0 A, 80 V RDS(ON) = 77 m @ VGS = 10 V General Description RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6 V This N-Channel MOSFET has been designed High performance trench technology for extremely specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional low RDS(ON)

 7.4. Size:843K  cn vbsemi
 fdc3512.pdf pdf_icon

FDC3512F095

FDC3512 www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.095 at VGS = 10 V 3.2 Low On-Resistance 100 4.2 nC 0.105 at VGS = 4.5 V 3.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 APPLICATIONS D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDBL0150N80, FDBL0210N80, FDBL0330N80, FDBL86363F085, FDBL86366F085, FDBL86561F085, FDBL86563F085, FDC2512F095, AO3400A, FDC3612F095, FDC3616N, FDC5612F095, FDC6020C, FDC602PF095, FDC633NF095, FDC640PF095, FDC645NF095