Справочник MOSFET. FDD107AN06LA0

 

FDD107AN06LA0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD107AN06LA0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для FDD107AN06LA0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD107AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  fairchild semi
fdd107an06la0.pdfpdf_icon

FDD107AN06LA0

January 2004FDD107AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 10A, 107mFeatures Applications rDS(ON) = 92m (Typ.), VGS = 5V, ID = 10A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 4.2nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c

 ..2. Size:315K  inchange semiconductor
fdd107an06la0.pdfpdf_icon

FDD107AN06LA0

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD107AN06LA0FEATURESDrain Current : I =10.9A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =91m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

 9.1. Size:236K  fairchild semi
fdd10an06a0.pdfpdf_icon

FDD107AN06LA0

August 2002FDD10AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 10.5mFeatures Applications rDS(ON) = 9.4m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low Qrr Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c

 9.2. Size:230K  fairchild semi
fdd10n20lz fdd10n20lztm.pdfpdf_icon

FDD107AN06LA0

December 2010 TM UniFETFDD10N20LZN-Channel MOSFET200V Logic, 7.6A, 0.36Features Description RDS(on) = 0.30( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.8A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ.12nC)technology. Low Crss ( Typ.11pF)This advance technology h

Другие MOSFET... FDC697P , FDC697PF077 , FDC699P , FDC699PF077 , FDC796N , FDC796NF077 , FDD044AN03L , FDD068AN03L , AO3407 , FDD10N20LZTM , FDD14AN06LA0 , FDD16AN08A0NF054 , FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 , FDD2512 , FDD2570 , FDD2612 .

History: PSMG50-05 | APT50M75JLL | AFC1539 | MMFT60R195PCTH | PS75N75A | SKI10195 | NCE1505S

 

 
Back to Top

 


 
.