FDD107AN06LA0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDD107AN06LA0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm
Тип корпуса: TO-252AA
Аналог (замена) для FDD107AN06LA0
FDD107AN06LA0 Datasheet (PDF)
fdd107an06la0.pdf
January 2004FDD107AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 10A, 107mFeatures Applications rDS(ON) = 92m (Typ.), VGS = 5V, ID = 10A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 4.2nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c
fdd107an06la0.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDD107AN06LA0FEATURESDrain Current : I =10.9A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =91m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol
fdd10an06a0.pdf
August 2002FDD10AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 10.5mFeatures Applications rDS(ON) = 9.4m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low Qrr Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c
fdd10n20lz fdd10n20lztm.pdf
December 2010 TM UniFETFDD10N20LZN-Channel MOSFET200V Logic, 7.6A, 0.36Features Description RDS(on) = 0.30( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.8A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ.12nC)technology. Low Crss ( Typ.11pF)This advance technology h
Другие MOSFET... FDC697P , FDC697PF077 , FDC699P , FDC699PF077 , FDC796N , FDC796NF077 , FDD044AN03L , FDD068AN03L , AO4407A , FDD10N20LZTM , FDD14AN06LA0 , FDD16AN08A0NF054 , FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 , FDD2512 , FDD2570 , FDD2612 .
History: UTT25P10G-TA3-T | CEE02N6A | MPVA7N65F | TPCC8062-H | SQJ410EP | CEG8208 | AP4434GM-HF
History: UTT25P10G-TA3-T | CEE02N6A | MPVA7N65F | TPCC8062-H | SQJ410EP | CEG8208 | AP4434GM-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42







