FDD107AN06LA0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDD107AN06LA0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm
Тип корпуса: TO-252AA
Аналог (замена) для FDD107AN06LA0
FDD107AN06LA0 Datasheet (PDF)
fdd107an06la0.pdf

January 2004FDD107AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 10A, 107mFeatures Applications rDS(ON) = 92m (Typ.), VGS = 5V, ID = 10A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 4.2nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c
fdd107an06la0.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD107AN06LA0FEATURESDrain Current : I =10.9A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =91m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol
fdd10an06a0.pdf

August 2002FDD10AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 10.5mFeatures Applications rDS(ON) = 9.4m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low Qrr Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c
fdd10n20lz fdd10n20lztm.pdf

December 2010 TM UniFETFDD10N20LZN-Channel MOSFET200V Logic, 7.6A, 0.36Features Description RDS(on) = 0.30( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.8A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ.12nC)technology. Low Crss ( Typ.11pF)This advance technology h
Другие MOSFET... FDC697P , FDC697PF077 , FDC699P , FDC699PF077 , FDC796N , FDC796NF077 , FDD044AN03L , FDD068AN03L , AO3407 , FDD10N20LZTM , FDD14AN06LA0 , FDD16AN08A0NF054 , FDD20AN06A0 , FDD24AN06LA0 , FDD2512 , FDD2570 , FDD2612 .
History: PSMG50-05 | APT50M75JLL | AFC1539 | MMFT60R195PCTH | PS75N75A | SKI10195 | NCE1505S
History: PSMG50-05 | APT50M75JLL | AFC1539 | MMFT60R195PCTH | PS75N75A | SKI10195 | NCE1505S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42