Справочник MOSFET. FDD2512

 

FDD2512 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD2512
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD2512 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  fairchild semi
fdd2512.pdfpdf_icon

FDD2512

August 2001FDD2512150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 6.7 A, 150 V RDS(ON) = 420 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 470 m @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. These MOSFETs feature Low g

 9.1. Size:572K  fairchild semi
fdd2572 f085.pdfpdf_icon

FDD2512

SNovember 2008FDD2572_F085N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 29A, 54mFeatures Applications rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID = 9A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous

 9.2. Size:97K  fairchild semi
fdd2570.pdfpdf_icon

FDD2512

February 2001FDD2570150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.7 A, 150 V. RDS(ON) = 80 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 90 m @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate chargeThese MOS

 9.3. Size:247K  fairchild semi
fdd2572 fdu2572.pdfpdf_icon

FDD2512

September 2002FDD2572 / FDU2572N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 29A, 54mFeatures Applications rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID = 9A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchrono

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: MTM8N60 | GSM3484S | DMP2160UFDBQ | 4N70G-TF3-T | AOD496A | SI7840BDP | 2SK1879

 

 
Back to Top

 


 
.