FDD7N60NZTM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDD7N60NZTM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FDD7N60NZTM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD7N60NZTM даташит

 ..1. Size:663K  fairchild semi
 fdd7n60nz fdd7n60nztm fdu7n60nztu.pdf pdf_icon

FDD7N60NZTM

November 2013 FDD7N60NZ / FDU7N60NZTU N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 5.5 A, 1.25 Features Description RDS(on) = 1.05 (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.75 A UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS Low Gate Charge (Typ. 13 nC) technology. This advanced MOSFET family has the smallest on- Low Crs

 5.1. Size:288K  inchange semiconductor
 fdd7n60nz.pdf pdf_icon

FDD7N60NZTM

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD7N60NZ FEATURES Drain Current I =5.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.25 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

 9.1. Size:285K  fairchild semi
 fdd7n25lztm.pdf pdf_icon

FDD7N60NZTM

December 2010 UniFETTM FDD7N25LZ N-Channel MOSFET 250V, 6.2A, 0.55 Features Description RDS(on) = 0.43 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 3.1A These N-Channel enhancement mode power field effect transis tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low Gate Charge ( Typ.12nC) DMOS technology. Low Crss ( Typ. 8pF) This advance technology has been especial

 9.2. Size:607K  fairchild semi
 fdd7n20tm.pdf pdf_icon

FDD7N60NZTM

November 2013 FDD7N20TM N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 5 A, 690 m Features Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage RDS(on) = 580 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.5 A MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 5 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching perfo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDD6780, FDD6782A, FDD6796, FDD6N20TF, FDD6N50TF, FDD6N50TM, FDD7030BL, FDD7N25LZTM, 2SK3878, FDD8580, FDD8586, FDD86367F085, FDD86369F085, FDD8750, FDD9411F085, FDFC2P100, FDFC3N108