FDFS2P753Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDFS2P753Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDFS2P753Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFS2P753Z даташит

 ..1. Size:487K  fairchild semi
 fdfs2p753z.pdf pdf_icon

FDFS2P753Z

November 2006 FDFS2P753Z tm Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115m Features General Description Max rDS(on) = 115m at VGS = -10V, ID = -3.0A The FDFS2P753Z combines the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low Max rDS(on) = 180m at VGS = -4.5V, ID = -1.5A forward voltage drop Schottky barrie

 5.1. Size:268K  fairchild semi
 fdfs2p753az.pdf pdf_icon

FDFS2P753Z

April 2008 FDFS2P753AZ tm Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115m Features General Description Max rDS(on) = 115m at VGS = -10V, ID = -3.0A The FDFS2P753AZ offers a single package solution for DC/DC conversion. It combines an excellent Fairchild s PowerTrench Max rDS(on) = 180m at VGS = -4.5V, ID = -1.5A MOSFET with a Schottky diode

 8.1. Size:85K  fairchild semi
 fdfs2p102.pdf pdf_icon

FDFS2P753Z

October 2000 FDFS2P102 Integrated P-Channel MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P102 combines the exceptional performance of 3.3 A, 20 V. RDS(ON) = 0.125 @ VGS = 10 V Fairchild's high cell density MOSFET with a very low forward RDS(ON) = 0.200 @ VGS = 4.5 V. voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package. VF

 8.2. Size:292K  fairchild semi
 fdfs2p103.pdf pdf_icon

FDFS2P753Z

September 2001 FDFS2P103 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P103 combines the exceptional 5.3 A, 30V RDS(ON) = 59 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 92 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDFME3N311ZT, FDFMJ2P023Z, FDFS2P102, FDFS2P102A, FDFS2P103, FDFS2P103A, FDFS2P106A, FDFS2P753AZ, AO4407, FDFS6N303, FDFS6N548, FDFS6N754, FDG313ND87Z, FDG329N, FDG361N, FDH15N50, FDH27N50