FDI3652. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDI3652

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-262AA

Аналог (замена) для FDI3652

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDI3652 даташит

 ..1. Size:260K  fairchild semi
 fdi3652.pdf pdf_icon

FDI3652

October 2003 FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Syn

 ..2. Size:263K  fairchild semi
 fdb3652 fdp3652 fdi3652.pdf pdf_icon

FDI3652

October 2003 FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Syn

 ..3. Size:282K  inchange semiconductor
 fdi3652.pdf pdf_icon

FDI3652

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI36352 FEATURES Drain Current I = 61A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 16m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power su pplies and general purpo

 9.1. Size:656K  fairchild semi
 fdb3632 fdp3632 fdi3632 fdh3632.pdf pdf_icon

FDI3652

December 2008 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9m Features Applications rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode Hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDH15N50, FDH27N50, FDH50N50F133, FDH5500, FDI025N06, FDI047AN08A0, FDI2532, FDI33N25, STF13NM60N, FDI8442, FDJ127P, FDJ128N, FDJ128NF077, FDJ129P, FDM100-0045SP, FDM21-05QC, FDM606P