Справочник MOSFET. FDP8441F085

 

FDP8441F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP8441F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 280 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP8441F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:303K  fairchild semi
 fdp8441 f085.pdf pdf_icon

FDP8441F085

September 2006tmFDP8441N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.7m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 2.1m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Sta

 7.2. Size:381K  fairchild semi
 fdp8441.pdf pdf_icon

FDP8441F085

September 2006tmFDP8441N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.7m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 2.1m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Sta

 7.3. Size:284K  inchange semiconductor
 fdp8441 .pdf pdf_icon

FDP8441F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP8441FEATURESWith TO-220 packagingDrain Source Voltage-: V 40VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.1m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 7.4. Size:283K  inchange semiconductor
 fdp8441.pdf pdf_icon

FDP8441F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP8441FEATURESWith TO-220 packagingDrain Source Voltage-: V 40VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.7m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: PSMN9R1-30YL | BSC027N04LSG | IPI65R190C6 | IRHM57160 | ZVN3310ASTZ | SIS438DN | ISCNH374D

 

 
Back to Top

 


 
.