FDP8441F085 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDP8441F085 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDP8441F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для FDP8441F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP8441F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:303K  fairchild semi
 fdp8441 f085.pdf pdf_icon

FDP8441F085

September 2006tmFDP8441N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.7m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 2.1m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Sta

 7.2. Size:381K  fairchild semi
 fdp8441.pdf pdf_icon

FDP8441F085

September 2006tmFDP8441N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.7m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 2.1m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Sta

 7.3. Size:284K  inchange semiconductor
 fdp8441 .pdf pdf_icon

FDP8441F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP8441FEATURESWith TO-220 packagingDrain Source Voltage-: V 40VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.1m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 7.4. Size:283K  inchange semiconductor
 fdp8441.pdf pdf_icon

FDP8441F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP8441FEATURESWith TO-220 packagingDrain Source Voltage-: V 40VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.7m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , FDP79N15 , 13N50 , FDP8442 , FDP8443 , FDP8878 , FDP8N50NZU , FDPC5018SG , FDPC5030SG , FDPF12N35 , FDPF12N50NZT .

History: OSG65R580PF | STP5N62K3 | IPD12CNE8NG | STP55NF06L | FDPF12N50NZT | FDPF12N35 | FDPF15N65YDTU

 

 
Back to Top

 


 
.