FDPF15N65YDTU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDPF15N65YDTU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для FDPF15N65YDTU
FDPF15N65YDTU Datasheet (PDF)
fdp15n65 fdpf15n65ydtu.pdf
April 2007TMUniFETFDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especia
fdp15n65 fdpf15n65.pdf
April 2007TMUniFETFDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especia
fdp15n65 fdpf15n65.pdf
April 2007TMUniFETFDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especia
fdp15n40 fdpf15n40.pdf
October 2008UniFETTMFDP15N40 / FDPF15N40tmN-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3Features Description RDS(on) = 0.24 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 7.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Gate Charge ( Typ. 28nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 17pF)This advanced technology has
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918