FDPF15N65YDTU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDPF15N65YDTU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48.5 nC
Время нарастания (tr): 125 ns
Выходная емкость (Cd): 295 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.44 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для FDPF15N65YDTU
FDPF15N65YDTU Datasheet (PDF)
fdp15n65 fdpf15n65ydtu.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
April 2007TMUniFETFDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especia
fdp15n65 fdpf15n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
April 2007TMUniFETFDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especia
fdp15n65 fdpf15n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
April 2007TMUniFETFDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFETFeatures Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF)This advanced technology has been especia
fdp15n40 fdpf15n40.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
October 2008UniFETTMFDP15N40 / FDPF15N40tmN-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3Features Description RDS(on) = 0.24 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 7.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Gate Charge ( Typ. 28nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 17pF)This advanced technology has
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .