FDPF15N65YDTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDPF15N65YDTU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FDPF15N65YDTU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDPF15N65YDTU даташит

 ..1. Size:457K  fairchild semi
 fdp15n65 fdpf15n65ydtu.pdf pdf_icon

FDPF15N65YDTU

April 2007 TM UniFET FDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFET Features Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF) This advanced technology has been especia

 5.1. Size:490K  fairchild semi
 fdp15n65 fdpf15n65.pdf pdf_icon

FDPF15N65YDTU

April 2007 TM UniFET FDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFET Features Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF) This advanced technology has been especia

 5.2. Size:490K  onsemi
 fdp15n65 fdpf15n65.pdf pdf_icon

FDPF15N65YDTU

April 2007 TM UniFET FDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFET Features Description 15A, 650V, RDS(on) = 0.44 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 48.5 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23.6 pF) This advanced technology has been especia

 7.1. Size:250K  fairchild semi
 fdp15n40 fdpf15n40.pdf pdf_icon

FDPF15N65YDTU

October 2008 UniFETTM FDP15N40 / FDPF15N40 tm N-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3 Features Description RDS(on) = 0.24 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 7.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low Gate Charge ( Typ. 28nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 17pF) This advanced technology has

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDP8443, FDP8878, FDP8N50NZU, FDPC5018SG, FDPC5030SG, FDPF12N35, FDPF12N50NZT, FDPF14N30T, AON7506, FDPF18N20F, FDPF52N20T, FDPF79N15, FDPF7N50, FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, FDR6580, FDR6674A