IRFR012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR012 даташит

 ..1. Size:169K  1
irfr010 irfr012 irfr014 irfr015.pdfpdf_icon

IRFR012

 ..2. Size:279K  international rectifier
irfr010 irfr012 irfu010 irfu012.pdfpdf_icon

IRFR012

 8.1. Size:431K  1
irfu014a irfr014a.pdfpdf_icon

IRFR012

 8.2. Size:172K  international rectifier
irfr014.pdfpdf_icon

IRFR012

Другие IGBT... IRFPF40, IRFPF50, IRFPG30, IRFPG40, IRFPG50, IRFPS37N50A, IRFPS59N60C, IRFR010, IRFZ44N, IRFR014, IRFR014A, IRFR015, IRFR020, IRFR022, IRFR024, IRFR024A, IRFR024N