IRFR024N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR024N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR024N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR024N даташит

 ..1. Size:178K  international rectifier
irfr024n.pdfpdf_icon

IRFR024N

PD- 9.1336A IRFR/U024N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D Surface Mount (IRFR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRFU024N) Advanced Process Technology RDS(on) = 0.075 G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 17A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possi

 ..2. Size:400K  international rectifier
irfr024npbf irfu024npbf.pdfpdf_icon

IRFR024N

PD - 95066A IRFR024NPbF IRFU024NPbF Lead-Free www.irf.com 1 12/14/04 IRFR/U024NPbF 2 www.irf.com IRFR/U024NPbF www.irf.com 3 IRFR/U024NPbF 4 www.irf.com IRFR/U024NPbF www.irf.com 5 IRFR/U024NPbF 6 www.irf.com IRFR/U024NPbF www.irf.com 7 IRFR/U024NPbF D-Pak (TO-252AA) Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D-Pak (TO-252AA) Part Marking Inform

 ..3. Size:241K  inchange semiconductor
irfr024n.pdfpdf_icon

IRFR024N

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR024N, IIRFR024N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 75m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V Gate-

 ..4. Size:240K  inchange semiconductor
irfr024npbf.pdfpdf_icon

IRFR024N

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor IRFR024NPBF FEATURES Drain Current I =17A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 55V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =75m (Max)@V =10V DS(on) GS High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perform

Другие IGBT... IRFR012, IRFR014, IRFR014A, IRFR015, IRFR020, IRFR022, IRFR024, IRFR024A, IRFP460, IRFR025, IRFR110, IRFR110A, IRFR111, IRFR120, IRFR1205, IRFR120A, IRFR120N