IRFPS3810PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFPS3810PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 580 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 260 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-274AA

Аналог (замена) для IRFPS3810PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPS3810PBF даташит

 ..1. Size:173K  international rectifier
 irfps3810pbf.pdf pdf_icon

IRFPS3810PBF

PD - 95703 IRFPS3810PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 100V l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.009 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 170A l Lead-Free S Description The HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve e

 5.1. Size:115K  international rectifier
 irfps3810.pdf pdf_icon

IRFPS3810PBF

PD - 93912B IRFPS3810 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.009 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 170A S Description The HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resista

 6.1. Size:101K  international rectifier
 irfps3815.pdf pdf_icon

IRFPS3810PBF

PD - 93911 IRFPS3815 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 150V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.015 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 105A S Description The HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistanc

 6.2. Size:131K  international rectifier
 irfps3815pbf.pdf pdf_icon

IRFPS3810PBF

PD - 95896 IRFPS3815PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 150V l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.015 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 105A l Lead-Free S Description The HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFPG40PBF, IRFPG42, IRFPG50PBF, IRFPG52, IRFPS29N60LPBF, IRFPS30N60KPBF, IRFPS35N50LPBF, IRFPS37N50APBF, 5N65, IRFPS3815PBF, IRFPS38N60L, IRFPS38N60LPBF, IRFPS40N50L, IRFPS40N50LPBF, IRFPS40N60K, IRFPS40N60KPBF, IRFPS43N50K