IRFR2307ZPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR2307ZPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IRFR2307ZPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR2307ZPBF даташит

 ..1. Size:352K  international rectifier
 irfr2307zpbf irfu2307zpbf.pdf pdf_icon

IRFR2307ZPBF

PD - 96191B IRFR2307ZPbF IRFU2307ZPbF Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 16m G Description ID = 42A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techniques to achieve extremely low on-resi

 5.1. Size:298K  international rectifier
 auirfr2307ztr.pdf pdf_icon

IRFR2307ZPBF

PD - 97546 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR2307Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D V(BR)DSS 75V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 16m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G ID (Silicon Limited) 53A Lead-Free, RoHS Compliant S ID (Package Limited) 42A Automotive Qualified * Desc

 5.2. Size:678K  infineon
 auirfr2307z.pdf pdf_icon

IRFR2307ZPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR2307Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 75V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 16m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 53A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * ID (Package Limited) 42A D Descri

 5.3. Size:1484K  cn vbsemi
 irfr2307ztr.pdf pdf_icon

IRFR2307ZPBF

IRFR2307ZTR www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0185 at VGS = 10 V 100 60 38 nC APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC Converter TO-252 D G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless oth

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR18N15DPBF, IRFR1N60APBF, IRFR210PBF, IRFR214PBF, IRFR220BTMFP001, IRFR220NPBF, IRFR220PBF, IRFR224PBF, SI2302, IRFR230BTMAM002, IRFR2405PBF, IRFR2407PBF, IRFR24N15DPBF, IRFR2905ZPBF, ZVN0545ASTOB, ZVN0545ASTZ, ZVN0545GTA