IRFR2405PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR2405PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IRFR2405PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR2405PBF даташит

 ..1. Size:221K  international rectifier
 irfr2405pbf irfu2405pbf.pdf pdf_icon

IRFR2405PBF

PD - 95369A IRFR2405PbF IRFU2405PbF l Surface Mount (IRFR2405) HEXFET Power MOSFET l Straight Lead (IRFU2405) l Advanced Process Technology D VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.016 G l Lead-Free Description ID = 56A Seventh Generation HEXFET Power MOSFETs from S International Rectifier utilize advanced processing

 6.1. Size:204K  international rectifier
 auirfr2405.pdf pdf_icon

IRFR2405PBF

PD - 97688A AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR2405 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology D V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. l Low On-Resistance 11.8m l 175 C Operating Temperature max 16m G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 56A l Fully Avalanche Rated S l Repetitive Avalanche Allowed ID (Package Limited) 30A up to Tjmax l Lead-Free, R

 6.2. Size:129K  international rectifier
 irfr2405.pdf pdf_icon

IRFR2405PBF

PD - 93861 IRFR2405 IRFU2405 HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFR2405) Straight Lead (IRFU2405) D Advanced Process Technology VDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating Fast Switching RDS(on) = 0.016 G Fully Avalanche Rated Description ID = 56A Seventh Generation HEXFET Power MOSFETs from S International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extreme

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 irfr2405.pdf pdf_icon

IRFR2405PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR2405, IIRFR2405 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 16m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Speed Power Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR210PBF, IRFR214PBF, IRFR220BTMFP001, IRFR220NPBF, IRFR220PBF, IRFR224PBF, IRFR2307ZPBF, IRFR230BTMAM002, 18N50, IRFR2407PBF, IRFR24N15DPBF, IRFR2905ZPBF, ZVN0545ASTOB, ZVN0545ASTZ, ZVN0545GTA, ZVN0545GTC, ZVN2106ASTOA