ZVP4525E6TA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZVP4525E6TA  📄📄 

Маркировка: P52

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.197 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.45 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3.78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZVP4525E6TA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVP4525E6TA даташит

 ..1. Size:409K  diodes
 zvp4525e6ta zvp4525e6tc.pdf pdf_icon

ZVP4525E6TA

ZVP4525E6 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY ( DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high SOT23-6 impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a variety of Telecom and gener

 5.1. Size:411K  diodes
 zvp4525e6.pdf pdf_icon

ZVP4525E6TA

ZVP4525E6 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY ( DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high SOT23-6 impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a variety of Telecom and gener

 7.1. Size:323K  diodes
 zvp4525g.pdf pdf_icon

ZVP4525E6TA

ZVP4525G 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-250V; RDS(ON)=14V; ID=-265mA DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a v

 7.2. Size:321K  diodes
 zvp4525gta zvp4525gtc.pdf pdf_icon

ZVP4525E6TA

ZVP4525G 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-250V; RDS(ON)=14V; ID=-265mA DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a v

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZVP4105ASTOB, ZVP4105ASTZ, ZVP4424ASTOA, ZVP4424ASTOB, ZVP4424ASTZ, ZVP4424GTA, ZVP4424GTC, ZVP4424ZTA, AOD4184A, ZVP4525E6TC, ZVP4525GTA, ZVP4525GTC, ZVP4525ZTA, ZXM41N10FTA, ZXM41N10FTC, ZXM61N02FTA, ZXM61N02FTC