Справочник MOSFET. ZXMN10A25KTC

 

ZXMN10A25KTC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN10A25KTC
   Маркировка: ZXMN10A25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ZXMN10A25KTC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN10A25KTC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  diodes
 zxmn10a25ktc.pdf pdf_icon

ZXMN10A25KTC

A Product Line ofDiodes IncorporatedGreenZXMN10A25K100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance Max ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Fast Switching Speed TA = +25C Low Gate Drive 125m @ VGS= 10V 6.4A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) TO252 100V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note

 4.1. Size:608K  diodes
 zxmn10a25k.pdf pdf_icon

ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25K100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) (V) ID (A)0.125 @ VGS= 10V 6.41000.150 @ VGS= 6V 5.8DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure combining the benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resistanc

 5.1. Size:625K  diodes
 zxmn10a25g.pdf pdf_icon

ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25G100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A)0.125 @ VGS= 10V 41000.150 @ VGS= 6V 3.7DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure which combininthe benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resist

 5.2. Size:623K  zetex
 zxmn10a25gta.pdf pdf_icon

ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25G100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A)0.125 @ VGS= 10V 41000.150 @ VGS= 6V 3.7DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure which combininthe benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN10A07ZTA , ZXMN10A08E6TA , ZXMN10A08E6TC , ZXMN10A09KTC , ZXMN10A11GTA , ZXMN10A11GTC , ZXMN10A11KTC , ZXMN10A25GTA , IRF9540N , ZXMN10B08E6TA , ZXMN10B08E6TC , ZXMN15A27KTC , ZXMN20B28KTC , ZXMN2A01E6TA , ZXMN2A01E6TC , ZXMN2A01FTA , ZXMN2A01FTC .

 

 
Back to Top

 


 
.