ZXMN10A25KTC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMN10A25KTC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXMN10A25KTC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN10A25KTC даташит

 ..1. Size:187K  diodes
 zxmn10a25ktc.pdf pdf_icon

ZXMN10A25KTC

A Product Line of Diodes Incorporated Green ZXMN10A25K 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance Max ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Fast Switching Speed TA = +25 C Low Gate Drive 125m @ VGS= 10V 6.4A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) TO252 100V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note

 4.1. Size:608K  diodes
 zxmn10a25k.pdf pdf_icon

ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25K 100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) (V) ID (A) 0.125 @ VGS= 10V 6.4 100 0.150 @ VGS= 6V 5.8 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features D Low on-resistanc

 5.1. Size:625K  diodes
 zxmn10a25g.pdf pdf_icon

ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25G 100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.125 @ VGS= 10V 4 100 0.150 @ VGS= 6V 3.7 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure which combininthe benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features D Low on-resist

 5.2. Size:623K  zetex
 zxmn10a25gta.pdf pdf_icon

ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25G 100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.125 @ VGS= 10V 4 100 0.150 @ VGS= 6V 3.7 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure which combininthe benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features D Low on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXMN10A07ZTA, ZXMN10A08E6TA, ZXMN10A08E6TC, ZXMN10A09KTC, ZXMN10A11GTA, ZXMN10A11GTC, ZXMN10A11KTC, ZXMN10A25GTA, SKD502T, ZXMN10B08E6TA, ZXMN10B08E6TC, ZXMN15A27KTC, ZXMN20B28KTC, ZXMN2A01E6TA, ZXMN2A01E6TC, ZXMN2A01FTA, ZXMN2A01FTC