ZXMN2A01FTA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMN2A01FTA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXMN2A01FTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2A01FTA даташит

 ..1. Size:216K  zetex
 zxmn2a01fta.pdf pdf_icon

ZXMN2A01FTA

 4.1. Size:216K  zetex
 zxmn2a01ftc.pdf pdf_icon

ZXMN2A01FTA

 5.1. Size:217K  diodes
 zxmn2a01f.pdf pdf_icon

ZXMN2A01FTA

 5.2. Size:79K  tysemi
 zxmn2a01f.pdf pdf_icon

ZXMN2A01FTA

Product specification ZXMN2A01F 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.2A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from TY utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT23

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXMN10A25GTA, ZXMN10A25KTC, ZXMN10B08E6TA, ZXMN10B08E6TC, ZXMN15A27KTC, ZXMN20B28KTC, ZXMN2A01E6TA, ZXMN2A01E6TC, IRFB3607, ZXMN2A01FTC, ZXMN2A02N8TA, ZXMN2A02X8TA, ZXMN2A02X8TC, ZXMN2A03E6TA, ZXMN2A03E6TC, ZXMN2A14FTA, ZXMN2B01FTA