ZXMN6A07FTA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ZXMN6A07FTA
Маркировка: 7N6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.2 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 1.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ZXMN6A07FTA
ZXMN6A07FTA Datasheet (PDF)
zxmn6a07fta.pdf
ZXMN6A07F 60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfet Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 0.250 @ VGS= 10V 1.4 60 0.350 @ VGS= 4.5V 1.2 Description D This new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a unique structure combining the benefits of low on-state resistance with fast switching speed. G Features S Low on-resistance Fast switching speed Low threshold S
zxmn6a07ftc.pdf
ZXMN6A07F 60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfet Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 0.250 @ VGS= 10V 1.4 60 0.350 @ VGS= 4.5V 1.2 Description D This new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a unique structure combining the benefits of low on-state resistance with fast switching speed. G Features S Low on-resistance Fast switching speed Low threshold S
zxmn6a07f.pdf
ZXMN6A07F 60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfet Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 0.250 @ VGS= 10V 1.4 60 0.350 @ VGS= 4.5V 1.2 Description D This new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a unique structure combining the benefits of low on-state resistance with fast switching speed. G Features S Low on-resistance Fast switching speed Low threshold S
zxmn6a07f.pdf
ZXMN6A07F www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.085 at VGS = 10 V 4.0 60 2.1 nC 100 % Rg Tested 0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS Tested APPLICATIONS Battery Switch DC/DC Converter D TO-236 (SOT23) G
Другие MOSFET... ZXMN3B01FTA , ZXMN3B04N8TA , ZXMN3B04N8TC , ZXMN3B14FTA , ZXMN3F30FHTA , ZXMN4A06GQ , ZXMN4A06GTA , ZXMN4A06KTC , 7N60 , ZXMN6A07FTC , ZXMN6A07ZTA , ZXMN6A08E6Q , ZXMN6A08E6TA , ZXMN6A08E6TC , ZXMN6A08GTA , ZXMN6A08KTC , ZXMN6A09GTA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312





