ZXMN6A07FTA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZXMN6A07FTA
Маркировка: 7N6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.2 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 1.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ZXMN6A07FTA
ZXMN6A07FTA Datasheet (PDF)
zxmn6a07fta.pdf

ZXMN6A07F60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 1.4600.350 @ VGS= 4.5V 1.2DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS
zxmn6a07ftc.pdf

ZXMN6A07F60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 1.4600.350 @ VGS= 4.5V 1.2DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS
zxmn6a07f.pdf

ZXMN6A07F60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 1.4600.350 @ VGS= 4.5V 1.2DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS
zxmn6a07f.pdf

ZXMN6A07Fwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: F25N10 | F20N60 | F20N50 | F18N65 | F18N50 | F16N65 | F14N65 | F13N50 | F12N60 | DTJ018N04N | DTG050P06LA | DTG045N04NA | DTG025N04NA | DTG023N03L | DTG018N04N | DTE043N04NA
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312