ZXMN6A07FTA
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZXMN6A07FTA
Маркировка: 7N6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 1.2
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 3.2
nC
trⓘ -
Время нарастания: 1.4
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19.5
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25
Ohm
Тип корпуса:
SOT-23
Аналог (замена) для ZXMN6A07FTA
ZXMN6A07FTA
Datasheet (PDF)
..1. Size:527K zetex
zxmn6a07fta.pdf ZXMN6A07F60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 1.4600.350 @ VGS= 4.5V 1.2DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS
4.1. Size:527K zetex
zxmn6a07ftc.pdf ZXMN6A07F60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 1.4600.350 @ VGS= 4.5V 1.2DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS
5.1. Size:531K diodes
zxmn6a07f.pdf ZXMN6A07F60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 1.4600.350 @ VGS= 4.5V 1.2DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS
5.2. Size:1319K cn vbsemi
zxmn6a07f.pdf ZXMN6A07Fwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.