ZXMN6A09GTA - описание и поиск аналогов

 

ZXMN6A09GTA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN6A09GTA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для ZXMN6A09GTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN6A09GTA даташит

 ..1. Size:554K  zetex
 zxmn6a09gta.pdf pdf_icon

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09G 60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 0.040 @ VGS= 10V 7.5 60 0.060 @ VGS= 4.5V 6.2 Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.

 5.1. Size:558K  diodes
 zxmn6a09g.pdf pdf_icon

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09G 60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 0.040 @ VGS= 10V 7.5 60 0.060 @ VGS= 4.5V 6.2 Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.

 6.1. Size:584K  diodes
 zxmn6a09dn8.pdf pdf_icon

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09DN8 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 0.040 @ VGS= 10V 5.6 60 0.060 @ VGS= 4.5V 4.6 Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.

 6.2. Size:631K  diodes
 zxmn6a09ktc.pdf pdf_icon

ZXMN6A09GTA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN6A07FTA , ZXMN6A07FTC , ZXMN6A07ZTA , ZXMN6A08E6Q , ZXMN6A08E6TA , ZXMN6A08E6TC , ZXMN6A08GTA , ZXMN6A08KTC , K2611 , ZXMN6A09KTC , ZXMN6A11GTA , ZXMN6A11GTC , ZXMN6A11ZTA , ZXMN6A25GTA , ZXMN6A25KTC , ZXMN7A11GTA , ZXMN7A11KTC .

History: AGM60P85AP | CM12N60AF | 2N65KG-TN3-R | ME2N7002D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.