IRFR5410. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFR5410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR5410
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFR5410 даташит
irfr5410pbf irfu5410pbf.pdf
PD -95314A IRFR5410PbF IRFU5410PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel D VDSS = -100V l Surface Mount (IRFR5410) l Straight Lead (IRFU5410) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.205 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -13A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tech
irfr5410.pdf
PD - 9.1533A IRFR/U5410 HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l P-Channel VDSS = -100V l Surface Mount (IRFR5410) l Straight Lead (IRFU5410) RDS(on) = 0.205W l Advanced Process Technology G l Fast Switching ID = -13A l Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extreme
irfr5410.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor IRFR5410,IIRFR5410 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 205m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION 175 C operating junction temperature ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol
Другие IGBT... IRFR3303, IRFR3910, IRFR410, IRFR4105, IRFR411, IRFR420, IRFR420A, IRFR5305, 13N50, IRFR5505, IRFR6215, IRFR9010, IRFR9012, IRFR9014, IRFR9020, IRFR9022, IRFR9024
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06





