SI2392ADS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI2392ADS
Маркировка: G2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.126 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
SI2392ADS Datasheet (PDF)
si2392ads.pdf
Si2392ADSwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.126 at VGS = 10 V 3.1 Material categorization: 100 0.144 at VGS = 6 V 2.9 2.9 nCFor definitions of compliance please see 0.189 at VGS = 4.5 V 2.6www.vishay.com/doc?99912 SOT
si2399ds.pdf
Si2399DSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 10 V - 6e TrenchFET Power MOSFET- 20 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6e 10 nC 100 % Rg Tested0.067 at VGS = - 2.5 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO
si2399ds-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2399DS (KI2399DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2+0.02+0.10.15 -0.02 RDS(ON) 34m (VGS = -10V) 0.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum R
si2399ds.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2399DS (KI2399DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2 RDS(ON) 34m (VGS = -10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Rati
si2399ds-t1.pdf
Si2399DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
si2399cds-t1.pdf
Si2399CDS-T1www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SO
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918