Справочник MOSFET. SI3404

 

SI3404 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3404
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3404 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  vishay
si3404.pdfpdf_icon

SI3404

MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components CA 91311SI3404Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesN-Channel High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliableEnhancement Mode Lead free product is acquired SOT-23 PackageField Effect Transistor Marking Code: R4 Epoxy mee

 ..2. Size:428K  mcc
si3404.pdfpdf_icon

SI3404

SI3404Features High Density Cell Design for Extremely Low RDS(on) Rugged and Reliable Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating

 ..3. Size:1878K  cn szxunrui
si3404.pdfpdf_icon

SI3404

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSI3404SI3404 N-Channel 30-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.025@ 10V330V 5.8A1.GATE0.035@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredEquivalent CircuitMARKINGSurface mount packageA46TF wAPPLICATIONLoad Switch for Portable DevicesDC/DC Converter

 9.1. Size:192K  vishay
si3407dv.pdfpdf_icon

SI3404

Si3407DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0240 at VGS = - 4.5 V - 8.0a TrenchFET Power MOSFET- 20 21 nC PWM Optimized0.0372 at VGS = - 2.5 V - 8.0a 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/9

Другие MOSFET... SI2365EDS , SI2367DS , SI2371EDS , SI2374DS , SI2392ADS , SI3127DV , SI3134K , SI3139K , 60N06 , SI3407DV , SI3410DV , SI3415 , SI3417DV , SI3420 , SI3421DV , SI3424BDV , SI3424CDV .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.