Справочник MOSFET. SI3447BDV

 

SI3447BDV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI3447BDV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SI3447BDV

 

 

SI3447BDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  vishay
 si3447bdv.pdf

SI3447BDV SI3447BDV

Si3447BDVVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 6.0 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.053 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.2 Ultra Low On-Resistance0.072 at VGS = - 1.8 V - 4.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL

 8.1. Size:210K  vishay
 si3447cdv.pdf

SI3447BDV SI3447BDV

Si3447CDVVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = - 4.5 V - 7.8 TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized0.050 at VGS = - 2.5 V - 6.6 12 nC- 12 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.068 at VGS = - 1.8 V - 5.6APPLICATIONS

 8.2. Size:47K  vishay
 si3447dv.pdf

SI3447BDV SI3447BDV

Si3447DVVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.050 @ VGS = -4.5 V "5.2-12 0.070 @ VGS = -2.5 V "4.40.095 @ VGS = -1.8 V "3.8(4) STSOP-6Top View1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage V

 8.3. Size:209K  vishay
 si3447cd.pdf

SI3447BDV SI3447BDV

Si3447CDVVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = - 4.5 V - 7.8 TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized0.050 at VGS = - 2.5 V - 6.6 12 nC- 12 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.068 at VGS = - 1.8 V - 5.6APPLICATIONS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top