Справочник MOSFET. SI3458BDV

 

SI3458BDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3458BDV
   Маркировка: AN*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3458BDV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3458BDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  vishay
si3458bdv.pdfpdf_icon

SI3458BDV

Si3458BDVVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = 10 V 4.1 TrenchFET Power MOSFET60 3.5 nC 100 % Rg Tested0.128 at VGS = 4.5 V 3.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Appli

 6.1. Size:209K  vishay
si3458bd.pdfpdf_icon

SI3458BDV

Si3458BDVVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = 10 V 4.1 TrenchFET Power MOSFET60 3.5 nC 100 % Rg Tested0.128 at VGS = 4.5 V 3.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Appli

 8.1. Size:177K  vishay
si3458dv.pdfpdf_icon

SI3458BDV

Si3458DVVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.10 at VGS = 10 V 3.2 TrenchFET Power MOSFET600.13 at VGS = 4.5 V 2.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6(1, 2, 5, 6) DTop View1 63 mm52(3) G3 42.85 mm

 9.1. Size:85K  fairchild semi
si3457dv.pdfpdf_icon

SI3458BDV

April 2001 Si3457DV Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel Logic Level MOSFET is produced 4 A, 30 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = 10 V using Fairchilds advanced PowerTrench process. It RDS(ON) = 75 m @ VGS = 4.5 V has been optimized for battery power management applications. Low ga

Другие MOSFET... SI3454ADV , SI3454CDV , SI3455ADV , SI3456BDV , SI3456CDV , SI3456DDV , SI3457BDV , SI3457CDV , 8205A , SI3459BDV , SI3460DDV , SI3460DV , SI3464DV , SI3465DV , SI3467DV , SI3473CDV , SI3473DV .

 

 
Back to Top

 


 
.