Справочник MOSFET. SI3459BDV

 

SI3459BDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3459BDV
   Маркировка: AS*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.216 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3459BDV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3459BDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  vishay
si3459bdv.pdfpdf_icon

SI3459BDV

New ProductSi3459BDVVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.216 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET- 60 4.4 nC 100 % Rg Tested0.288 at VGS = - 4.5 V - 2.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch

 6.1. Size:206K  vishay
si3459bd.pdfpdf_icon

SI3459BDV

New ProductSi3459BDVVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.216 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET- 60 4.4 nC 100 % Rg Tested0.288 at VGS = - 4.5 V - 2.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch

 8.1. Size:177K  vishay
si3459dv.pdfpdf_icon

SI3459BDV

Si3459DVVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.220 at VGS = - 10 V 2.2 TrenchFET Power MOSFET- 600.310 at VGS = - 4.5 V 1.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6 Top View1 6 (4) S3 mm 5 2 (3) G3 4 2.85 mm (1, 2, 5, 6

 9.1. Size:85K  fairchild semi
si3457dv.pdfpdf_icon

SI3459BDV

April 2001 Si3457DV Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel Logic Level MOSFET is produced 4 A, 30 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = 10 V using Fairchilds advanced PowerTrench process. It RDS(ON) = 75 m @ VGS = 4.5 V has been optimized for battery power management applications. Low ga

Другие MOSFET... SI3454CDV , SI3455ADV , SI3456BDV , SI3456CDV , SI3456DDV , SI3457BDV , SI3457CDV , SI3458BDV , 2SK3568 , SI3460DDV , SI3460DV , SI3464DV , SI3465DV , SI3467DV , SI3473CDV , SI3473DV , SI3474DV .

History: HM4826A | HM4884 | ZXMN15A27KTC | BSS806NE | HM4853 | BSS84AKMB | IXKN40N60C

 

 
Back to Top

 


 
.